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数据更新时间
2026-05-12
按“H”筛选，展示 37 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 8 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
MIL-STD-883-1 w/ CHANGE 1:2021
微电子环境试验方法标准 第1部分：试验方法1000~1999
检测项目：密封、高温工作寿命、低气压、耐湿、稳态寿命、间歇寿命、稳定性烘焙、盐雾 等 9 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750-1B w/ CHANGE 2:2023
半导体器件的环境测试方法第1部分：测试方法1000～1999 方法
检测项目：密封、老炼、低气压、耐湿、稳态寿命、间歇寿命、稳定性烘焙、盐雾 等 9 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
MIL-STD-202H:2015
电子及电气元件试验方法 方法
检测项目：温度冲击试验、密封、高温工作寿命、低气压、耐湿、稳态湿热、盐雾
检测对象：电子元器件
IEC 61967-2：2005
集成电路 电磁发射测量 150kHz~1GHz 第2部分 辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：集成电路辐射发射测量-TEM小室和宽带TEM小室法
检测对象：集成电路
ANSI/ESDA/JEDEC JS001-2017
人体模型(HBM)-元器件静电放电抗扰度测试
检测项目：静电放电测试（HBM模式）
检测对象：集成电路
AEC-Q104- Rev:2017
车用多芯片模块(MCM)基于失效机理的应力测试验证 表1 H
检测项目：低温贮存寿命
检测对象：电子元器件
IEC 62132-4：2006
集成电路 电磁抗扰度测量 150kHz-1GHz 第4部分 射频功率直接注入法
检测项目：集成电路传导抗扰度测量-射频功率直接注入法
检测对象：集成电路
GJB 548C-2021 方法3015.1
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目：静电放电测试（HBM模式）
检测对象：集成电路