数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T29332-2012”筛选，展示 8 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 1 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目：集电极-发射极饱和电压 （VCEsat）、开通时间（td(on),tr）和开通能量（Eon）、关断时间（td(off),tf）和关断能量（Eoff）、栅极-发射极阈值电压 （VGE(th)）、高温阻断（HTRB）、高温栅极偏置、集电极截止电流（ICES）、栅极漏电流（IGES）
检测对象：半导体器件