数据更新时间
2026-05-12
按“V”筛选，展示 13 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 7 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
IIEC 60664-1:2020+AMD1:2025 CSV
低压供电系统内设备的绝缘配合-第1部分：原则、要求和测试 IEC 60664-1:2020+AMD1:2025 CSV
检测项目：交流工频电压测试
检测对象：半导体器件
IEC 60664-1:2020+AMD1:2025 CSV
低压供电系统内设备的绝缘配合-第1部分：原则、要求和测试
检测项目：直流电压测试
检测对象：半导体器件
IEC 60747-8：2021
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管
检测项目：栅极-源极阈值电压（VGS(th)）、漏极-源极导通电阻（rDS(on)）或漏极-源极导通电压（VDS(on)）、漏极-源极反向电压（VSD）
检测对象：半导体器件
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目：集电极-发射极饱和电压 （VCEsat）、栅极-发射极阈值电压 （VGE(th)）
检测对象：半导体器件
IEC 60747-2：2025
半导体器件 第2部分：分立器件 整流二极管
检测项目：正向电压（VF）、雪崩整流二极管的击穿电压（V(BR)）
检测对象：半导体器件
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：雪崩整流二极管的击穿电压（V(BR)）、正向电压（VF）
检测对象：半导体器件
IEC 60747-9:2019
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目：集电极-发射极饱和电压 （VCEsat）、栅极-发射极阈值电压 （VGE(th)）
检测对象：半导体器件