数据更新时间
2026-05-12
按“W”筛选,展示 10 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
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MIL-STD-750-3 w/CHANGE 2:2023
半导体器件晶体管电气试验方法第3部分:试验方法3000至3999 方法
检测项目:漏源击穿电压、栅源电压或电流、阈值电压、漏极电流、静态漏源导通电阻、正向电压、反向漏电流、击穿电压
检测对象:场效应晶体管
检测对象:二极管
MIL-STD-750-1B.w/CHANGE 2:2023
半导体器件环境测试方法第1部分:测试方法1000至1999 方法
检测项目:高温反偏试验、间歇工作寿命试验
检测对象:半导体分立器件