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数据更新时间
2026-05-12
按“存储器”筛选，展示 29 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 2 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
AEC-Q100-005D1：2012
非易失性存储器编程/擦除耐久性、数据保留和运行寿命测试 AEC-Q100-005D1-：
检测项目：NVM非易失性存储器验证(EDR)
检测对象：塑封半导体集成电路
半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 IV.
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<SUB>OL</SUB>、输入负载电流I<Sub>LI</Sub>、输出高阻态电流I<SUB>OZH</SUB>、输出高阻态电流I<SUB>OZL</SUB>、动态条件下的总电源电流I<Sub>CC</Sub>、静态条件下的电源电流I<Sub>SB</Sub>、静态条件下的电源电流I<SUB>DD</SUB> 等 14 项，点击展开全部
检测对象：MOS随机存储器