数据更新时间
2026-05-12
按“导体”筛选，展示 27 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 2 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
IEC 60747-8:2010+AMD1:2021
半导体器件-分立器件-第8部分 场效应晶体管
检测项目：开通关断时间(Tdon, Tr,Tdoff,Tf)、开通损耗(Eon)、关断损耗(Eoff)、MOS二极管正向恢复时间，电荷(Tfr,Qfr )、漏极到源极反向击穿电压(V(BR)DS)、栅源极阈值电压(VGS(th))、漏极漏电流(IDSS)、栅极漏电流(IGSS) 等 15 项，点击展开全部
检测对象：场效应晶体管
IEC 60747-9:2019
半导体器件-分立器件-第9部分 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)
检测项目：开通时间和开通损耗(Tdon,Tr,Ton,Eon)、关断时间和关断损耗(Tdoff,Tf,Toff,Tz,Eoff)、IGBT二极管反向恢复电流，时间，损耗和电荷(Irrm,Trr,Err,Qrr )、集电极-发射极饱和电压 (VCEsat)、栅极-发射极阈值电压 (VGE(th))、集电极截止电流(ICES)、栅极漏电流(IGES)、输入电容(Cies) 等 12 项，点击展开全部
检测对象：绝缘栅双极晶体管