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2026-05-12
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半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
检测项目:输出截止电流、电流传输比、输出高电平电压、输出低电平电压、高电平电源电流、低电平电源电流、正向电压(输入二极管)、正向电流(二极管) 等 12 项,点击展开全部
检测对象:光电耦合器
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997
检测项目:输出电压<I>V</I><Sub>O</Sub>、输出电流<I>I</I><Sub>O</Sub>、输出纹波电压<I>V</I><Sub>PP</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>、交叉调整率、输入电流<I>I</I><Sub>I</Sub>、效率 等 9 项,点击展开全部
检测对象:DC/DC变换器
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
检测项目:零点误差<I>E</I><Sub>Z</Sub>、失调误差<I>E</I><Sub>o</Sub>、基准输出电压<I>V</I><Sub>REF</Sub>
检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.9②
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.9②
检测项目:功耗
检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.3②
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.3②
检测项目:增益误差<I>E</I><Sub>G</Sub>
检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.5②
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.5②
检测项目:线性误差<I>E</I><Sub>L</Sub>
检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.7②
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.7②
检测项目:微分线性误差<I>E</I><Sub>DL</Sub>
检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器
半导体器件 集成电路 第二部分:数字集成电路 第Ⅳ篇第1节
检测项目:输入高电平电压<I>V</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电流<I>I</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电流<I>I</I><Sub>OL</Sub>、输出高阻态时高电平电流<I>I</I><Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流<I>I</I><Sub>OZL</Sub>、电源电流<I>I</I><Sub>cc</Sub>、输出短路电流<I>I</I><Sub>os</Sub> 等 15 项,点击展开全部
检测对象:数字集成电路
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ篇第2节
检测项目:共发射极静态电流传输比<I>H</I><Sub>FE</Sub>、基极--发射极饱和电压<I>V</I><Sub>BES</Sub>、集电极--发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CES</Sub>、集电极--基极截止电流<I>I</I><Sub>CBO</Sub>、发射极--基极截止电流<I>I</I><Sub>EBO</Sub>、集电极--发射极截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、集电极--基极击穿电压<I>BV</I><Sub>CBO</Sub>、发射极--基极击穿电压<I>BV</I><Sub>EBO</Sub> 等 9 项,点击展开全部
检测对象:晶体三极管
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目:触发电压<I>V</I><Sub>TR</Sub>、触发电流<I>I</I><Sub>TR</Sub>、复位电压<I>V</I><Sub>R</Sub>、复位电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、阀值电流<I>I</I><Sub>T</Sub>、阀值电压<I>V</I><Sub>T</Sub>、控制端电压<I>V</I><Sub>C</Sub>
检测对象:模拟集成电路
半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理
检测项目:模拟电压工作范围<I>V</I><Sub>A</Sub>、导通电阻<I>R</I><Sub>on</Sub>、开启时间<I>t</I><Sub>on</Sub>、关断时间<I>t</I><Sub>off</Sub>、通道转换时间<I>t</I><Sub>T</Sub>
检测对象:模拟集成电路
半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
检测项目:线性误差<I>E</I><Sub>L</Sub>、馈通误差<I>E</I><Sub>F</Sub>、共摸抑制比<I>k</I><Sub>CMR</Sub>、建立时间<I>t</I>set
检测对象:模拟集成电路
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目:零栅压时的漏极电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、漏--源短路时的栅极截止电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>、栅--源击穿电压<I>BV</I><Sub>GS</Sub>、小信号短路正向跨导<I>g</I><Sub>fs</Sub>
检测对象:场效应管
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项目:失调电流<I>I</I><Sub>os</Sub>、偏置电流<I>I</I><Sub>bias</Sub>、失调电压<I>V</I><Sub>os</Sub>
检测对象:模拟集成电路
半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理
检测项目:基准电压<I>V</I><Sub>ref</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>
检测对象:模拟集成电路
GB/T4589.1-2006
半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范
检测项目:正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>
检测对象:晶体二极管
GB/T17940-2000 12
半导体集成电路第三部分模拟集成电路
检测项目:共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>
检测对象:模拟集成电路
GB/T17940-2000 13
半导体集成电路第三部分模拟集成电路
检测项目:电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>
检测对象:模拟集成电路
电子设备用固定电容器总规范
检测项目:漏电流<I>I</I><Sub>d</Sub>
检测对象:电容器