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中国空空导弹研究院元器件中心

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2026-05-12

能力范围

按“S”筛选,展示 84 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。

按标准归类为 19 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法

12 项检测项目

检测项目:输出截止电流、电流传输比、输出高电平电压、输出低电平电压、高电平电源电流、低电平电源电流、正向电压(输入二极管)、正向电流(二极管) 等 12 项,点击展开全部

检测对象:光电耦合器

输出截止电流电流传输比输出高电平电压输出低电平电压高电平电源电流低电平电源电流正向电压(输入二极管)正向电流(二极管)反向电流(二极管)反向击穿电压(二极管)集电极-发射极击穿电压集电极-发射极饱和电压

混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997

混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997

9 项检测项目

检测项目:输出电压<I>V</I><Sub>O</Sub>、输出电流<I>I</I><Sub>O</Sub>、输出纹波电压<I>V</I><Sub>PP</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>、交叉调整率、输入电流<I>I</I><Sub>I</Sub>、效率 等 9 项,点击展开全部

检测对象:DC/DC变换器

输出电压<I>V</I><Sub>O</Sub>输出电流<I>I</I><Sub>O</Sub>输出纹波电压<I>V</I><Sub>PP</Sub>电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>交叉调整率输入电流<I>I</I><Sub>I</Sub>效率启动过冲<I>V</I><Sub>TO</Sub>

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006

3 项检测项目

检测项目:零点误差<I>E</I><Sub>Z</Sub>、失调误差<I>E</I><Sub>o</Sub>、基准输出电压<I>V</I><Sub>REF</Sub>

检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器

零点误差<I>E</I><Sub>Z</Sub>失调误差<I>E</I><Sub>o</Sub>基准输出电压<I>V</I><Sub>REF</Sub>

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.9②

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.9②

1 项检测项目

检测项目:功耗

检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器

功耗

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.3②

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.3②

1 项检测项目

检测项目:增益误差<I>E</I><Sub>G</Sub>

检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器

增益误差<I>E</I><Sub>G</Sub>

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.5②

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.5②

1 项检测项目

检测项目:线性误差<I>E</I><Sub>L</Sub>

检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器

线性误差<I>E</I><Sub>L</Sub>

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.7②

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006 ①5.1.7②

1 项检测项目

检测项目:微分线性误差<I>E</I><Sub>DL</Sub>

检测对象:混合集成电路A/D、D/A变换器

微分线性误差<I>E</I><Sub>DL</Sub>
GB/T17574-1998

半导体器件 集成电路 第二部分:数字集成电路 第Ⅳ篇第1节

15 项检测项目

检测项目:输入高电平电压<I>V</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电流<I>I</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电流<I>I</I><Sub>OL</Sub>、输出高阻态时高电平电流<I>I</I><Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流<I>I</I><Sub>OZL</Sub>、电源电流<I>I</I><Sub>cc</Sub>、输出短路电流<I>I</I><Sub>os</Sub> 等 15 项,点击展开全部

检测对象:数字集成电路

输入高电平电压<I>V</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>输出高电平电流<I>I</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电流<I>I</I><Sub>OL</Sub>输出高阻态时高电平电流<I>I</I><Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流<I>I</I><Sub>OZL</Sub>电源电流<I>I</I><Sub>cc</Sub>输出短路电流<I>I</I><Sub>os</Sub>输入低电平电压<I>V</I><Sub>IL</Sub>输入钳位电压<I>V</I><Sub>IK</Sub>输入正向阈值电压<I>V</I><Sub>IT+</Sub>输入负向阈值电压<I>V</I><Sub>IT-</Sub>输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>
GB/T 4587-1994

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ篇第2节

9 项检测项目

检测项目:共发射极静态电流传输比<I>H</I><Sub>FE</Sub>、基极--发射极饱和电压<I>V</I><Sub>BES</Sub>、集电极--发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CES</Sub>、集电极--基极截止电流<I>I</I><Sub>CBO</Sub>、发射极--基极截止电流<I>I</I><Sub>EBO</Sub>、集电极--发射极截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、集电极--基极击穿电压<I>BV</I><Sub>CBO</Sub>、发射极--基极击穿电压<I>BV</I><Sub>EBO</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:晶体三极管

共发射极静态电流传输比<I>H</I><Sub>FE</Sub>基极--发射极饱和电压<I>V</I><Sub>BES</Sub>集电极--发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CES</Sub>集电极--基极截止电流<I>I</I><Sub>CBO</Sub>发射极--基极截止电流<I>I</I><Sub>EBO</Sub>集电极--发射极截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub>集电极--基极击穿电压<I>BV</I><Sub>CBO</Sub>发射极--基极击穿电压<I>BV</I><Sub>EBO</Sub>集电极--发射极击穿电压<I>BV</I><Sub>CEO</Sub>
GB/T 14030-1992

半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

7 项检测项目

检测项目:触发电压<I>V</I><Sub>TR</Sub>、触发电流<I>I</I><Sub>TR</Sub>、复位电压<I>V</I><Sub>R</Sub>、复位电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、阀值电流<I>I</I><Sub>T</Sub>、阀值电压<I>V</I><Sub>T</Sub>、控制端电压<I>V</I><Sub>C</Sub>

检测对象:模拟集成电路

触发电压<I>V</I><Sub>TR</Sub>触发电流<I>I</I><Sub>TR</Sub>复位电压<I>V</I><Sub>R</Sub>复位电流<I>I</I><Sub>R</Sub>阀值电流<I>I</I><Sub>T</Sub>阀值电压<I>V</I><Sub>T</Sub>控制端电压<I>V</I><Sub>C</Sub>
GB/T 14028-2018

半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理

5 项检测项目

检测项目:模拟电压工作范围<I>V</I><Sub>A</Sub>、导通电阻<I>R</I><Sub>on</Sub>、开启时间<I>t</I><Sub>on</Sub>、关断时间<I>t</I><Sub>off</Sub>、通道转换时间<I>t</I><Sub>T</Sub>

检测对象:模拟集成电路

模拟电压工作范围<I>V</I><Sub>A</Sub>导通电阻<I>R</I><Sub>on</Sub>开启时间<I>t</I><Sub>on</Sub>关断时间<I>t</I><Sub>off</Sub>通道转换时间<I>t</I><Sub>T</Sub>
GB/T 14029-1992

半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理

4 项检测项目

检测项目:线性误差<I>E</I><Sub>L</Sub>、馈通误差<I>E</I><Sub>F</Sub>、共摸抑制比<I>k</I><Sub>CMR</Sub>、建立时间<I>t</I>set

检测对象:模拟集成电路

线性误差<I>E</I><Sub>L</Sub>馈通误差<I>E</I><Sub>F</Sub>共摸抑制比<I>k</I><Sub>CMR</Sub>建立时间<I>t</I>set
GB/T4586-1994

半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章

4 项检测项目

检测项目:零栅压时的漏极电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、漏--源短路时的栅极截止电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>、栅--源击穿电压<I>BV</I><Sub>GS</Sub>、小信号短路正向跨导<I>g</I><Sub>fs</Sub>

检测对象:场效应管

零栅压时的漏极电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>漏--源短路时的栅极截止电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>栅--源击穿电压<I>BV</I><Sub>GS</Sub>小信号短路正向跨导<I>g</I><Sub>fs</Sub>
GB/T 6798-1996

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理

3 项检测项目

检测项目:失调电流<I>I</I><Sub>os</Sub>、偏置电流<I>I</I><Sub>bias</Sub>、失调电压<I>V</I><Sub>os</Sub>

检测对象:模拟集成电路

失调电流<I>I</I><Sub>os</Sub>偏置电流<I>I</I><Sub>bias</Sub>失调电压<I>V</I><Sub>os</Sub>
GB/T 4377-2018

半导体集成电路电压调整器测试方法的基本原理

3 项检测项目

检测项目:基准电压<I>V</I><Sub>ref</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>

检测对象:模拟集成电路

基准电压<I>V</I><Sub>ref</Sub>电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>

GB/T4589.1-2006

半导体器件第10部分:分立器件和集成电路总规范

3 项检测项目

检测项目:正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>

检测对象:晶体二极管

正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>

GB/T17940-2000 12

半导体集成电路第三部分模拟集成电路

1 项检测项目

检测项目:共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>

检测对象:模拟集成电路

共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>

GB/T17940-2000 13

半导体集成电路第三部分模拟集成电路

1 项检测项目

检测项目:电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>

检测对象:模拟集成电路

电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>
GB/T2693-2001

电子设备用固定电容器总规范

1 项检测项目

检测项目:漏电流<I>I</I><Sub>d</Sub>

检测对象:电容器

漏电流<I>I</I><Sub>d</Sub>

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机构名称

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