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数据更新时间
2026-05-12
按“电极”筛选，展示 19 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 6 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流(直流法)(ICBO)、集电极-发射极截止电流(直流法)(ICEO、ICER、ICEX、ICES)、集电极-发射极饱和电压(直流法) (VCEsat)、发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)CBO、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V(BR)EBO、集电极-发射极电压（VCEO、VCES、VCER、VCBX)
检测对象：双极型晶体管
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极性晶体管 第IV章第1节
检测项目：集电极-基极截止电流(直流法)(ICBO)、集电极-发射极截止电流(直流法)(ICEO、ICER、ICEX、ICES)、集电极-发射极饱和电压(直流法) (VCEsat)、发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)CBO、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V(BR)EBO
检测对象：双极型晶体管
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流
检测对象：晶体管
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
检测项目：集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极击穿电压
检测对象：光电耦合器
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压
检测对象：晶体管
半导体器件分立器件和集成电路 第5-3部分： 光电子器件测试方法
检测项目：集电极-发射极饱和电压
检测对象：光电耦合器