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2026-05-12
按“电流”筛选,展示 96 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
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半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第IV篇第2节
检测项目:电源电流、输入失调电流IIO、输入偏置电流IIB、短路输出电流IOS、备用电流(静态电流)、短路电流(IOS)、截止态电流、导通态电流
检测对象:线性放大器(包括运算放大器)
检测对象:电压调整器
检测对象:模拟开关
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
检测项目:电流传输比、反向电流、输入触发电流、输出截止电流、高电平电源电流、正向电流(二极管)、低电平电源电流
检测对象:光电耦合器
半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项目:输出高电平电流、输出低电平电流、输入高电平电流(IIH)、输入低电平电流(IIL)、输出短路电流(IOS)、静态条件下的电源电流
检测对象:数字集成电路
半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
检测项目:输入失调电流IIO、输入偏置电流IIB、高电平输出电流IOH、低电平输出电流IOL、低电平选通电流IST(L)、高电平选通电流IST(H)
检测对象:电压比较器
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极性晶体管 第IV章第1节
检测项目:集电极-基极截止电流(直流法)(ICBO)、发射极-基极截止电流(直流法)(IEBO)、集电极-发射极截止电流(直流法)(ICEO、ICER、ICEX、ICES)、共发射极正向电流传输比(输出电压保持不变)(直流或脉冲法)(h21E)、发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)CBO、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V(BR)EBO
检测对象:双极型晶体管
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管
检测项目:集电极-基极截止电流(直流法)(ICBO)、发射极-基极截止电流(直流法)(IEBO)、集电极-发射极截止电流(直流法)(ICEO、ICER、ICEX、ICES)、共发射极正向电流传输比(输出电压保持不变)(直流或脉冲法)(h21E)、发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)CBO、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V(BR)EBO
检测对象:双极型晶体管
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇第2节
检测项目:输出高阻态电流(IOZ)、输入高电平电流(IIH)、输入低电平电流(IIL)、输出短路电流(IOS)、静态条件下的电源电流
检测对象:数字集成电路
GB/T 15136-1994
半导体集成电路英钟表电路测试方法的基本原理
检测项目:电源电流IDD、输入高电平电流IIH、输入低电平电流IIL、输出高电平电流IOH、输出低电平电流IOL
检测对象:石英钟表电路
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目:反向漏电流、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、发射极-基极截止电流、正向电流传输比
检测对象:二极管
检测对象:晶体管
半导体器件 第6部分:晶闸管
检测项目:反向峰值电流、维持电流、断态电流、擎住电流、门极触发电流和(或)门极触发电压
检测对象:晶闸管
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017
检测项目:输入失调电流IIO、输入偏置电流IIB、短路输出电流IOS、最大输出电流
检测对象:线性放大器(包括运算放大器)
SJ/T 10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法
检测项目:输入失调电流IIO、输入偏置电流IIB、高电平输出电流IOH、低电平输出电流IOL
检测对象:电压比较器
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目:复位电流IR、触发电流ITR、阈值电流IT、静态电源电流I+
检测对象:时基电路
半导体集成电路 电压调整器测试方法
检测项目:电流调整率(SI)、耗散电流(ID)和耗散电流变化(△ID)、短路电流(IOS)
检测对象:电压调整器
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目:截止态漏极漏电流[ID(off)]、截止态源极漏电流[IS(off)]、导通态漏电流[IDS(on)]
检测对象:模拟开关
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目:输出电流、电流调整率、输入电流
检测对象:DC/DC变换器
SJ 20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 5.1.15、
检测项目:数字输入高电平电流IIH、数字输入低电平电流IIL
检测对象:A/D和D/A转换器
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第IV章
检测项目:栅极截止电流或栅极漏泄电流、漏极电流
检测对象:场效应晶体管
半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000 5.13、
半导体集成电路 CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000 5.13、
检测项目:输出高阻态电流(IOZ)
检测对象:数字集成电路
GB/T14114-1993
半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 4.7、
检测项目:静态电源电流ID
检测对象:电压/频率和频率/电压转换器
半导体集成电路采样保持放大器测试方法的基本原理
检测项目:跌落电流IDR
检测对象:采样保持放大器
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:反向漏电流
检测对象:二极管
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV章第1节1、第IV章第2节
检测项目:反向漏电流
检测对象:二极管
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项目:反向漏电流
检测对象:二极管
固体继电器通用规范 GJB 1515B-2017
固体继电器通用规范 GJB 1515B-2017
检测项目:输出漏电流
检测对象:固体继电器
半导体器件分立器件和集成电路 第5-3部分: 光电子器件测试方法
检测项目:电流传输比
检测对象:光电耦合器
GJB 1648A-2011
晶体振荡器通用规范
检测项目:输入电流功率
检测对象:晶体振荡器
GA/T 793.1-2008
《城市监控报警联网系统 合格评定 第1部分:系统功能性能检验规范》 7(表6序号2)
检测项目:监控中心设备泄漏电流
检测对象:城市监控报警联网系统
电子设备用固定电容器 第1部分:总规范
检测项目:漏电流
检测对象:固定电容器
电子设备用固定电容器 第1部分:总规范
检测项目:漏电流
检测对象:固定电容器