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2026-05-12
按“U”筛选，展示 71 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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SJ/T10805-2000
半导体集成电路电压比较器测试方法 SJ/T10805-2018
检测项目：输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、最大共模输入电压<I>V</I><Sub>ICM</Sub>、静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub> 等 10 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
SJ/T10738-1996
半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理
检测项目：输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>、输出电压幅度<I>V</I><Sub>opp</Sub>、开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成运算放大器
半导体分立器件 分立器件第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极电压<I>V</I><Sub>CBO</Sub>、发射极-基极电压<I>V</I><Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极电压<I>V</I><Sub>CEO</Sub>、集电极-基极截止电流（直流法）<I>I</I><Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流（直流法）<I>I</I><Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、共发射极正向电流传输比<I>H</I><Sub>21E</Sub>、集电极-发射极饱和电压（直流法）<I>V</I><Sub>CEsat</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：双极型晶体管
GB/T14030-92
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 GB/T14030-1992
检测项目：复位电压<I>V</I><Sub>R</Sub>、复位电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、触发电压<I>V</I><Sub>TR</Sub>、触发电流<I>I</I><Sub>TR</Sub>、阈值电压<I>V</I><Sub>T</Sub>、阈值电流<I>I</I><Sub>T</Sub>、控制端电压<I>V</I><Sub>C</Sub>、静态电源电流<I>I</I><Sub>+</Sub>
检测对象：半导体集成电路时基电路
半导体器件 分立器件 第8部分场效应晶体管 第Ⅳ章方法
检测项目：栅极截止电流或栅极漏泄电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>、漏极截止电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、栅-源截止电压<I>V</I><Sub>GS</Sub>(<Sub>off</Sub>)、栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GS</Sub>(<Sub>to</Sub>)、通态漏-源电阻源<I>r</I><Sub>ds</Sub>(<Sub>on</Sub>)、漏极电流<I>I</I><Sub>D</Sub>、小信号短路正向跨导<I>g</I><Sub>ms</Sub>
检测对象：场效应晶体管
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：输出电压<I>V</I><Sub>o</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>v</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>、电源纹波抑制比<I>S</I><Sub>rip</Sub>、耗散电流<I>I</I><Sub>D</Sub>、基准电压<I>V</I><Sub>REF</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压调整器
SJ20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压<I>V</I><Sub>o</Sub>、输出电流<I>I</I><Sub>o</Sub>、输出纹波电压<I>V</I><Sub>RIP</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>v</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>、输入电流<I>I</I><Sub>I</Sub>
检测对象：混合集成电路DC/DC电源模块
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目：导通电阻<I>R</I><Sub>on</Sub>、导通电阻路差Δ<I>R</I><Sub>on</Sub>、截止态漏极漏电流<I>I</I><Sub>D</Sub>(<Sub>off</Sub>)、截止态源级漏电流<I>I</I><Sub>S</Sub>(<Sub>off</Sub>)、导通态漏电流<I>I</I><Sub>DS</Sub>(<Sub>on</Sub>)
检测对象：半导体集成电路模拟开关
半导体集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇 第2节
检测项目：输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、静态条件下的电源电流<I>I</I><Sub>DD</Sub>
检测对象：半导体集成电路模拟开关
半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、工作电压<I>V</I><Sub>Z</Sub>
检测对象：开关二极管
检测对象：电压调整二极管
半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>
检测对象：整流二极管
GJB360B-2009
电子及电气元件试验方法
检测项目：漏电流<I>I</I><Sub>o</Sub>
检测对象：钽电容器