数据更新时间
2026-05-12
按“V”筛选，展示 10 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 4 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节
检测项目：基极-发射极饱和电压(<I>V</I><Sub>BEsat</Sub>)、集电极-发射极饱和电压(<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>)、集电极-发射极击穿电压(<I>V</I><Sub>BRCEO</Sub>)、集电极-基极击穿电压(<I>V</I><Sub>BRCBO</Sub>)、发射极-基极击穿电压(<I>V</I><Sub>BREBO</Sub>)
检测对象：双极型晶体管
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第1节
检测项目：正向电压(<I>V</I><Sub>F</Sub>)、工作电压（<I>V</I><Sub>Z</Sub>)
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：栅-源阈值电压（C型）（<I>V</I><Sub>G</Sub><I>S</I>)、栅-源截止电压（A和B型）（<I>V</I><Sub>GSoff</Sub>）
检测对象：场效应管
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：雪崩和可控雪崩整流二极管的击穿电压（<I>V</I><Sub>B</Sub><I>R</I>)
检测对象：整流二极管