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2026-05-12
按“硅”筛选，展示 102 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 58 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GB/T 12962-2015
硅单晶
检测项目：硅晶体完整性、硅晶体中氧含量、硅晶体中碳含量、参考面结晶学取向、电阻率、径向电阻率变化、导电类型、载流子寿命 等 9 项，点击展开全部
检测对象：微电子材料
GB/T 25076-2018
太阳电池用硅单晶
检测项目：硅晶体完整性、硅晶体中氧含量、硅晶体中碳含量、电阻率、径向电阻率变化、导电类型、载流子寿命、直径测量
检测对象：微电子材料
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
检测项目：直径测量、参考面结晶学取向、电阻率、径向电阻率变化、导电类型、弯曲度、翘曲度
检测对象：微电子材料
GB/T 30656-2023
碳化硅单晶抛光片
检测项目：直径测量、表面粗糙度、X射线双晶摇摆曲线半高宽、多型、参考面结晶学取向、位错密度、位错类型和分布、电阻率
检测对象：微电子材料
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
检测项目：硅抛光片氧化诱生缺陷、电阻率、径向电阻率变化、导电类型、弯曲度、翘曲度、直径测量
检测对象：微电子材料
GB/T 12963-2022
电子级多晶硅
检测项目：硅多晶断面夹层、外观、质量、硅晶体中碳含量、电阻率、导电类型、载流子寿命
检测对象：微电子材料
GB/T 25074-2017
太阳能级多晶硅
检测项目：硅晶体中氧含量、硅晶体中碳含量、电阻率、导电类型、载流子寿命
检测对象：微电子材料
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
检测项目：参考面结晶学取向
检测对象：微电子材料
碳化硅单晶片直径测试方法
检测项目：直径测量
检测对象：微电子材料
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
检测项目：硅晶体中间隙氧含量径向变化
检测对象：微电子材料
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
检测项目：硅多晶断面夹层
检测对象：微电子材料
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
检测项目：硅抛光片氧化诱生缺陷
检测对象：微电子材料
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
检测项目：表面粗糙度
检测对象：微电子材料
SJ/T 11503-2015
碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
检测项目：表面粗糙度
检测对象：微电子材料
工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
检测项目：工业硅中杂质元素含量
检测对象：微电子材料
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
检测项目：微管密度
检测对象：微电子材料
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
检测项目：微管密度
检测对象：微电子材料
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
检测项目：硅晶体完整性
检测对象：微电子材料
GB/T 14142-2017
硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
检测项目：硅晶体完整性
检测对象：微电子材料
GB/T 30453-2013
硅材料原生缺陷图谱
检测项目：硅材料缺陷
检测对象：微电子材料
GB/T 14847-2010
重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
检测项目：外延层厚度
检测对象：微电子材料
GB/T 42905-2023
碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
检测项目：外延层厚度
检测对象：微电子材料
硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
检测项目：硅晶体中氧含量
检测对象：微电子材料
GB/T 38976-2020
硅材料中氧含量的测试 惰性气体熔融红外法
检测项目：硅晶体中氧含量
检测对象：微电子材料
硅中代位碳含量的红外吸收测试方法
检测项目：硅晶体中碳含量
检测对象：微电子材料
GB/T 41765-2022
碳化硅单晶位错密度的测试方法
检测项目：位错密度、位错类型和分布
检测对象：微电子材料
硅单晶电阻率测定方法
检测项目：电阻率
检测对象：微电子材料
GB/T 42271-2022
半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
检测项目：电阻率
检测对象：微电子材料
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
检测项目：电阻率
检测对象：微电子材料
钢铁及合金 硅含量的测定 重量法
检测项目：硅
检测对象：钢铁与合金
GB/T 223.90-2019
钢铁及合金 硅含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
检测项目：硅
检测对象：钢铁与合金
合金钢中铬、镍、硅、锰、铝、磷、钨、钼、钴、钒含量的测定 ICP-OES法
检测项目：铬、镍、硅、锰、铝、磷、钨、钼、钴、钒
检测对象：钢铁与合金
JIS G1258-3-2007
铁和钢-ICP发射光谱分析方法：第3部分硅、锰、磷、镍、铬、钼、铜、钒、钴、钛和铝定量方法-酸分解、碳酸钠熔化法
检测项目：硅、锰、磷、镍、铬、钼、铜、钒、钴、钛、铝
检测对象：钢铁与合金
硅片径向电阻率变化的测量方法
检测项目：径向电阻率变化
检测对象：微电子材料
ASTM F81-2001
硅片径向电阻率变化测量的标准试验方法
检测项目：径向电阻率变化
检测对象：微电子材料
Q/UK61401-2018
镍及镍合金中 砷、镉、铅、锌、锑、铋、锡、钴、 铜、锰、镁、硅、铝、铁量的ICP测定法
检测项目：砷、镉、铅、锌、锑、铋、锡、钴、 铜、锰、镁、硅、铝、铁
检测对象：高温合金
铝及铝合金化学分析方法 第5部分：硅含量的测定
检测项目：硅
检测对象：铝和铝合金
GB/T 10850-1989
铸造铝硅合金过烧
检测项目：过烧
检测对象：铝和铝合金
GB/T 14146-2021
硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法
检测项目：硅外延层载流子浓度
检测对象：微电子材料
硅抛光片表面质量目测检验方法
检测项目：表面质量
检测对象：微电子材料
SJ/T 11504-2015
碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法
检测项目：表面质量
检测对象：微电子材料
GB/T 6619-2009
硅片弯曲度测试方法
检测项目：弯曲度
检测对象：微电子材料
GB/T 6620-2009
硅片翘曲度非接触式测试方法
检测项目：翘曲度
检测对象：微电子材料
GB/T 19921-2018
硅抛光片表面颗粒测试方法
检测项目：表面颗粒
检测对象：微电子材料
GB/T 29507-2013
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法
检测项目：平整度、 厚度、总厚度变化
检测对象：微电子材料
硅片厚度和总厚度变化测试方法
检测项目：平整度、 厚度、总厚度变化
检测对象：微电子材料
GB/T30867-2014
碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T 30867-
检测项目：平整度、 厚度、总厚度变化
检测对象：微电子材料
GB/T32278-2015
碳化硅单晶片平整度测试方法
检测项目：平整度、 厚度、总厚度变化
检测对象：微电子材料
GB/T 24580-2009
重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法
检测项目：硼含量
检测对象：微电子材料
硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法
检测项目：载流子寿命
检测对象：微电子材料
GB/T26068-2018
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
检测项目：载流子寿命
检测对象：微电子材料
GB/T 13389-2014
掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
检测项目：电阻率与掺杂剂浓度换算
检测对象：微电子材料
硅片直径测量方法
检测项目：直径测量
检测对象：微电子材料
GB/T5238-2019
锗单晶和锗单晶片
检测项目：硅晶体完整性
检测对象：微电子材料
低合金钢 多元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
检测项目：硅、锰、磷、镍、铬、钼、铜、钒、钴、钛、铝
检测对象：钢铁与合金
ASTM E2371-21a
通过直流等离子体和电感耦合等离子体原子发射光谱分析钛和钛合金的标准测试方法（基于性能的测试方法）
检测项目：铝、硼、钴、铬、铜、铁、锰、钼、镍、铌、钯、钌、硅、钽、锡、钨、钒、钇、锆
检测对象：钛和钛合金
铝及铝合金化学分析方法 第25部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法
检测项目：铁、铜、镁、锰、镓、钛、钒、铟、锡、铋、钙、铬、锌、镍、镉、锆、铍、铅、硼、硅、锶、锑
检测对象：铝和铝合金
铜及铜合金化学分析方法 第27部分：电感耦合等离子体原子发射光谱法
检测项目：磷、银、铋、锑、砷、铁、镍、铅、锡、硫、锌、锰、镉、硒、碲、铝、硅、钴、钛、镁、铍、锆、铬、硼、汞
检测对象：铜和铜合金