数据更新时间
2026-05-12
按“S”筛选，展示 202 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 37 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997
检测项目：输出电压、输出电流、输出纹波电压、电压调整率、电流调整率、交叉调整率、输入电流、效率 等 15 项，点击展开全部
检测对象：混合集成电路DC/DC变换器
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
检测项目：正向电压（输入二极管）、正向电流（二极管）、反向电流（二极管）、反向击穿电压（二极管）、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、输出截止电流、电流传输比 等 12 项，点击展开全部
检测对象：半导体分立器件和集成电路光电子器件
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 方法
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 方法
检测项目：正向电压（输入二极管）、正向电流（二极管）、反向电流（二极管）、反向击穿电压（二极管）、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、输出截止电流、电流传输比 等 12 项，点击展开全部
检测对象：半导体分立器件和集成电路光电子器件
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
检测项目：脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时间、输入触发电流、隔离电容、隔离电阻
检测对象：半导体分立器件和集成电路光电子器件
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015 方法
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015 方法
检测项目：脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时间、输入触发电流、隔离电容、隔离电阻
检测对象：半导体分立器件和集成电路光电子器件
《电流电压传感器总规范》 SJ20790-2000
《电流电压传感器总规范》 SJ20790-2000
检测项目：线性度、零点输出、零点漂移、绝缘电阻、介质耐电压
检测对象：电流电压传感器
《电流电压传感器总规范》 SJ20790-2000 方法
《电流电压传感器总规范》 SJ20790-2000 方法
检测项目：线性度、零点输出、零点漂移、绝缘电阻、介质耐电压
检测对象：电流电压传感器
《半导体集成电路机械和气候试验方法》 SJ/T 10745-96
《半导体集成电路机械和气候试验方法》 SJ/T 10745-96
检测项目：高压蒸煮、内部易燃性
检测对象：微电子器件
《混合集成电路DC/DC变换器测试方法》 SJ 20646-1997
《混合集成电路DC/DC变换器测试方法》 SJ 20646-1997
检测项目：启动延迟
检测对象：混合集成电路DC/DC变换器
半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇第2节
检测项目：输出高电平电压、输出低电平电压、输入高电平电流I、输入低电平电流、输出高阻态电流、静态条件下的电源电流、输入阈值电压和滞后电压、传输时间 等 23 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路CMOS电路
检测对象：半导体集成电路MOS随机存储器
检测对象：半导体集成电路TTL电路
检测对象：半导体集成电路微处理器及外围接口电路
检测对象：半导体集成电路模拟开关
检测对象：半导体集成电路时基电路
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流<i>I</i><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<i>I</i><Sub>IB</Sub>、静态功耗<i>P</i><Sub>D</Sub>、开环电压增益<i>A</i><sub>VO</sub>、共模抑制比<i>K</i><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰电压<i>V</i><Sub>opp</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算（电压）放大器
GB/T 14030-92
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理 方法
检测项目：复位电压V<Sub>R</Sub>、复位电流I<Sub>R</Sub>、触发电压V<Sub>TR</Sub>、触发电流I<Sub>TR</Sub>、阈值电压V<Sub>T</Sub>、阈值电流I<Sub>T</Sub>、控制端电压V<Sub>C</Sub>、静态电源电流I<Sub>+</Sub>
检测对象：半导体集成电路时基电路
GB-T 4377-2018
半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理 方法
检测项目：电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>、纹波抑制比Srip、备用消耗电流I<Sub>D</Sub>和备用消耗电流变化⊿I<Sub>D</Sub>、基准电压V<Sub>REF</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压调整器
《半导体集成电路电压调整器测试方法》 方法
检测项目：最小输入输出电压差（<i>V</i><sub>DROP</sub>）、输出电压(<i>V</i><sub>O</sub>)、短路电流(<i>I</i><sub>OS</sub>)、输出阻抗(<i>Z</i><sub>O</sub>)
检测对象：半导体集成电路电压调整器
半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器测试方法的基本原理 GJB 9388-2018 方法
半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器测试方法的基本原理 GJB 9388-2018 方法
检测项目：失调误差E<Sub>O</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、功耗P<Sub>W</Sub>
检测对象：半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器
《集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法》 GJB9388-2018 方法
《集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法》 GJB9388-2018 方法
检测项目：双极零点误差<i>E</i><sub>BZ</sub>、满度误差<i>E</i><sub>FS</sub>、电源电流<i>I</i><sub>CC</sub>
检测对象：半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器
半导体集成电路模拟开关测试方法的基本原理 方法
检测项目：截止态漏极漏电流I<Sub>D</Sub>(off)、截止态源极漏电流I<Sub>S</Sub>(off)、导通态漏电流I<Sub>DS</Sub>(on)
检测对象：半导体集成电路模拟开关
《半导体集成电路运算放大器测试方法》 GJB 9147-2017 方法
《半导体集成电路运算放大器测试方法》 GJB 9147-2017 方法
检测项目：转换速率<i>S</i><sub>R</sub>、最大输出电流<i>I</i><sub>Omax</sub>
检测对象：半导体集成电路运算（电压）放大器
《微电子器件试验方法和程序》 GJB548C-2021 方法
《微电子器件试验方法和程序》 GJB548C-2021 方法
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：微电子器件
《半导体器件机械和气候试验方法 》第4部分：强加速稳态湿热试验
检测项目：强加速稳态湿热（HAST）
检测对象：微电子器件
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
检测项目：金属化扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：半导体分立器件
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目0902
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目0902
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：晶体振荡器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0902
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0902
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：晶体振荡器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1101
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1101
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：密封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1101
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1101
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：密封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1103
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1103
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：塑封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1103
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1103
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：塑封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1201
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1201
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：光耦合器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1201
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1201
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：光耦合器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0702
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0702
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：固体继电器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1003
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1003
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1003
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1003
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1004
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1004
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：有键合丝塑封半导体分立器件
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1102
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1102
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：混合集成电路（含多芯片组件）
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1102
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1102
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：混合集成电路（含多芯片组件）
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1104
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1104
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：倒装焊半导体集成电路