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2026-05-12
按“电路”筛选，展示 332 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 41 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
SJ/T 10741-2000
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
检测项目：输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输入高电平电压 <I>V</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电压 <I>V</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电流 <I>I</I><Sub>OH</Sub> 等 25 项，点击展开全部
检测对象：（三）半导体集成电路CMOS电路
SJ/T 10735-1996
半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理
检测项目：输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>、输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub> 等 19 项，点击展开全部
检测对象：（四）半导体集成电路TTL电路
半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路
检测项目：输入箝位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高阻态电流 <I>I</I><Sub>OZ</Sub>、静态条件下的电源电流、输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub> 等 18 项，点击展开全部
检测对象：（二）数字集成电路
检测对象：（五）半导体集成电路MOS随机存储器
检测对象：（七）半导体集成电路微处理器及外围接口电路
检测对象：（八）半导体集成电路模拟开关
SJ/T 10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法
检测项目：输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub> 等 17 项，点击展开全部
检测对象：（十二）半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路运算放大器测试方法
检测项目：输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>OPP</Sub> 等 16 项，点击展开全部
检测对象：（十一）半导体集成电路运算（电压）放大器
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项目：输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub> 等 15 项，点击展开全部
检测对象：（十二）半导体集成电路电压比较器
SJ/T 10738-1996
半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理
检测项目：输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>OPP</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：（十一）半导体集成电路运算（电压）放大器
集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
检测项目：失调误差 <I>E</I><Sub>O</Sub>、增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>、满度误差<I>E</I><Sub>FS</Sub>、微分非线性DNL、积分非线性INL、满度输出电流<I>I</I><Sub>O</Sub>、模拟输出漏电流<I>I</I><Sub>OL</Sub>、电源电流<I>I</I><Sub>CC</Sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：（六）半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器（仅限14位及14位以下）
半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 第Ⅳ篇第3节
检测项目：纹波抑制比 <I>S</I><Sub>RIP</Sub>、备用电流（静态电流）、基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>、输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：（九）模拟集成电路
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>、纹波抑制比 <I>S</I><Sub>rip</Sub>、耗散电流 <I>I</I><Sub>D</Sub>和耗散电流变化 △<I>I</I><Sub>D</Sub>、短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>、输出电压（<I>V</I><Sub>O</Sub>）和输出电压偏差（△<I>V</I><Sub>O</Sub>）、基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>、输出阻抗<I>Z</I><Sub>O</Sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：（十）半导体集成电路电压调整器
微波电路放大器测试方法 方法
检测项目：1分贝压缩输出功率、反向隔离度、功率增益、功率增益平坦度、互调失真、截距点功率、群延迟时间、输出回波损耗和输出电压驻波比 等 12 项，点击展开全部
检测对象：（五十七）微波元器件
SJ/T 10739-1996
半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理
检测项目：输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入负载电流 <I>I</I><Sub>LI</Sub>、输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>、工作状态时 <I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>、工作状态时 <I>V</I><Sub>CC</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>、维持状态时 <I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DDS</Sub> 等 10 项，点击展开全部
检测对象：（五）半导体集成电路MOS随机存储器
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压 <I>V</I><Sub>O</Sub>、输出电流 <I>I</I><Sub>O</Sub>、输出纹波电压 <I>V</I><Sub>RIP</Sub>、电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>、输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>、效率、交叉调整率 等 9 项，点击展开全部
检测对象：（十八）DC/DC 变换器
GJB 4027A-2006
军用电子元器件破坏性物理分析方法 工作项目1101 密封半导体集成电路 1101-
检测项目：外部目检、X射线检查、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、剪切强度、超声波扫描显微镜测试分析 等 9 项，点击展开全部
检测对象：（四十八）密封半导体集成电路
检测对象：（四十九）混合集成电路（含多芯片组件）
检测对象：（五十）塑封半导体集成电路
GJB 4027B-2021
军用电子元器件破坏性物理分析方法 工作项目1101 密封半导体集成电路 1101-
检测项目：外部目检、X射线检查、超声波扫描显微镜测试分析、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、剪切强度 等 9 项，点击展开全部
检测对象：（五十四）电子元器件
SJ/T 10818-1996
半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理
检测项目：失调误差 <I>E</I><Sub>O</Sub>、零点误差 <I>E</I><Sub>Z</Sub>、增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>、精度 <I>E</I><Sub>A</Sub>、线性误差 <I>E</I><Sub>L</Sub>、失码 <I>M</I><Sub>C</Sub>、功耗 <I>P</I><Sub>W</Sub>、电源电压灵敏度<I>K</I><Sub>SVS</Sub>
检测对象：（六）半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器（仅限14位及14位以下）
半导体集成电路失效分析程序和方法 方法
检测项目：扫描电子显微镜检查、外部目检、X射线检查、开封、内部目检、剖面金相分析、键合强度、电子微探针分析
检测对象：（五十四）电子元器件
检测对象：（五十五）半导体器件
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目：导通电阻 <I>R</I><Sub>ON</Sub>、导通电阻路差 △<I>R</I><Sub>ON</Sub>、截止态漏极漏电流、截止态源极漏电流、导通态漏电流
检测对象：（八）半导体集成电路模拟开关
半导体器件分立器件和集成电路第2部分：整流二极管
检测项目：正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>、击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>、反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>
检测对象：（十四）二极管
半导分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法
检测项目：反向电流（二极管）、电流传输比、集电极-发射极饱和电压
检测对象：（十七）半导体分立器件和集成电路光电子器件
SJ 20610-1996
微波电路 微波开关测试方法 方法
检测项目：插入损耗、电压驻波比、隔离度
检测对象：（五十七）微波元器件
GJB 734A-2002
旋转开关（电路选择器，小电流容量）通用规范
检测项目：接触电阻、介质耐电压、绝缘电阻
检测对象：（六十一）开关
IEC 60068-2-69-2019
环境测试第2-69部分:试验-试验Te/Tc:用润湿平衡（力测量）方法测试电子元件和印刷电路板的可焊性 方法
检测项目：可焊性
检测对象：（五十四）电子元器件
GB/T 7092-2021
半导体集成电路外形尺寸
检测项目：外形尺寸
检测对象：（五十五）半导体器件
QJ 3086A-2016
表面和混合安装印制电路板组装件的高可靠性焊接
检测项目：共面度测试
检测对象：（五十五）半导体器件
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目：正向电压（输入二极管）、正向电流（二极管）、反向击穿电压（二极管）、集电极-发射极击穿电压、输出截止电流、反向电流（二极管）、输出高电平电压、输出低电平电压 等 12 项，点击展开全部
检测对象：（十七）半导体分立器件和集成电路光电子器件
IPC-A-610J
电子组件的可接受性
检测项目：外部目检、尺寸测量、X射线检查
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
刚性多层印制板分规范
检测项目：外部目检、尺寸测量、金相切片
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
GJB 362C-2021
刚性印制板通用规范
检测项目：外部目检、尺寸测量、金相切片
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
印制板测试方法
检测项目：外部目检、尺寸测量、金相切片
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
IPC-TM-650
测试方法手册
检测项目：钻孔孔径测量、镀覆孔孔径测量、染色和拉拔试验方法
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
IPC-TM650
测试方法手册 IPC-TM-650 2.1.1F
检测项目：金相切片、微切片尺寸测量
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
金属和氧化物覆盖层厚度测量显微镜法
检测项目：镀层厚度测试
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
金属覆盖层厚度测量X射线光谱法
检测项目：镀层厚度测试
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
GB/T 18290.5-2015
无焊连接第5部分：压入式连接一般要求、试验方法和使用导则
检测项目：金相切片
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
金属显微组织检验方法
检测项目：金相切片
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
IEC 60068-2-82-2019
环境试验:第2-82部分:试验.试验X<sub>w1</sub>:电子组件用元器件的晶须试验方法
检测项目：锡须观察
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
JESD 22-A121A-2008(R2025)
锡及锡合金表面镀层的测量须状物生长的试验方法
检测项目：锡须观察
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
JESD 201A-2008(R2020)
锡和锡合金表面锡须的敏感性生成环境验收要求
检测项目：锡须观察
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
JIS Z3198-7:2003
无铅焊料测试方法-第7部分：贴装元器件焊点剪切力试验 JIS Z 3198-7:
检测项目：剪切强度
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件
微米级长度的扫描电镜测量方法通则
检测项目：扫描电子显微镜检查
检测对象：（五十六）印制电路板&印制电路板组件