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西安西测测试技术股份有限公司

当前查看:西安西测测试技术股份有限公司

陕西省 · 西安市

地址:西安市高新区丈八二路16号

联系电话:029-62657777-8002

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

按“U”筛选,展示 200 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。

按标准归类为 22 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T 2423.60-2008

电工电子产品环境试验第2部分:试验方法 试验U:引出端及整体安装件强度

1 项检测项目

检测项目:引出端强度

检测对象:(五十五)半导体器件

引出端强度

JESD 22-A110E-2015

Highly Accelerated Temperature Humidity Stress Test(HAST)

1 项检测项目

检测项目:强加速稳态湿热试验(HAST)

检测对象:(五十五)半导体器件

强加速稳态湿热试验(HAST)

IEC 60068-2-82-2019

环境试验:第2-82部分:试验.试验X<sub>w1</sub>:电子组件用元器件的晶须试验方法

1 项检测项目

检测项目:锡须观察

检测对象:(五十六)印制电路板&印制电路板组件

锡须观察

SJ/T 10741-2000

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

25 项检测项目

检测项目:输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输入高电平电压 <I>V</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电压 <I>V</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电流 <I>I</I><Sub>OH</Sub> 等 25 项,点击展开全部

检测对象:(三)半导体集成电路CMOS电路

输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>输入高电平电压 <I>V</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电压 <I>V</I><Sub>IL</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输出高电平电流 <I>I</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电流 <I>I</I><Sub>OL</Sub>输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>输入正向阈值电压<I>V</I><Sub>IT+</Sub>输入负向阈值电压<I>V</I><Sub>IT-</Sub>滞后电压△<I>V</I><Sub>T</Sub>动态电源电流<I>I</I><Sub>a</Sub>输出由低电平到高电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PLH</Sub>输出由高电平到低电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PHL</Sub>输出由高阻态到高电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PZH</Sub>输出由高阻态到低电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PZL</Sub>输出由高电平到高阻态传输延迟时间<I>t</I><Sub>PHZ</Sub>输出由低电平到高阻态传输延迟时间<I>t</I><Sub>PLZ</Sub>输出由低电平到高电平转换延迟时间<I>t</I><Sub>TLH</Sub>输出由高电平到低电平转换延迟时间<I>t</I><Sub>THL</Sub>

SJ/T 10735-1996

半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理

19 项检测项目

检测项目:输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>、输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub> 等 19 项,点击展开全部

检测对象:(四)半导体集成电路TTL电路

输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>输出高电平时电源电流 <I>I</I><Sub>CCH</Sub>输出低电平时电源电流 <I>I</I><Sub>CCL</Sub>输出截止电流<I>I</I><Sub>OOFF</Sub>输出由低电平到高电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PLH</Sub>输出由高电平到低电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PHL</Sub>输出由高阻态到高电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PZH</Sub>输出由高阻态到低电平传输延迟时间<I>t</I><Sub>PZL</Sub>输出由高电平到高阻态传输延迟时间<I>t</I><Sub>PHZ</Sub>输出由低电平到高阻态传输延迟时间<I>t</I><Sub>PLZ</Sub>

SJ/T 10805-2018

半导体集成电路电压比较器测试方法

17 项检测项目

检测项目:输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub> 等 17 项,点击展开全部

检测对象:(十二)半导体集成电路电压比较器

输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>高电平输出电流 <I>I</I><Sub>OH</Sub>低电平输出电流 <I>I</I><Sub>OL</Sub>控制端电流<I>I</I><Sub>C</Sub>最大共模输入电压<I>V</I><Sub>ICM</Sub>最大差模输入电压<I>V</I><Sub>IDM</Sub>控制端阈值电压<I>V</I><Sub>T</Sub>输出漏电流<I>I</I><Sub>Leak</Sub>输出吸入电流<I>I</I><Sub>Sink</Sub>
GJB 9147-2017

半导体集成电路运算放大器测试方法

15 项检测项目

检测项目:输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>OPP</Sub> 等 15 项,点击展开全部

检测对象:(十一)半导体集成电路运算(电压)放大器

输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>OPP</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>转换速率<I>S</I><Sub>R</Sub>最大输出电流<I>I</I><Sub>Omax</Sub>输出短路电流<I>I</I><Sub>OS</Sub>最大共模输入电压<I>V</I><Sub>ICM</Sub>最大差模输入电压<I>V</I><Sub>IDM</Sub>输出电压转换速率<I>S</I><Sub>R</Sub>
GB/T 6798-1996

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理

13 项检测项目

检测项目:输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub> 等 13 项,点击展开全部

检测对象:(十二)半导体集成电路电压比较器

输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>高电平输出电流 <I>I</I><Sub>OH</Sub>低电平输出电流 <I>I</I><Sub>OL</Sub>最大共模输入电压<I>V</I><Sub>ICM</Sub>最大差模输入电压<I>V</I><Sub>IDM</Sub>
GB/T4377-2018

半导体集成电路电压调整器测试方法

12 项检测项目

检测项目:电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>、纹波抑制比 <I>S</I><Sub>rip</Sub>、耗散电流 <I>I</I><Sub>D</Sub>和耗散电流变化 △<I>I</I><Sub>D</Sub>、短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>、输出电压(<I>V</I><Sub>O</Sub>)和输出电压偏差(△<I>V</I><Sub>O</Sub>)、基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>、输出阻抗<I>Z</I><Sub>O</Sub> 等 12 项,点击展开全部

检测对象:(十)半导体集成电路电压调整器

电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>纹波抑制比 <I>S</I><Sub>rip</Sub>耗散电流 <I>I</I><Sub>D</Sub>和耗散电流变化 △<I>I</I><Sub>D</Sub>短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>输出电压(<I>V</I><Sub>O</Sub>)和输出电压偏差(△<I>V</I><Sub>O</Sub>)基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>输出阻抗<I>Z</I><Sub>O</Sub>启动时间<I>t</I><Sub>S</Sub>最小输入输出电压差<I>V</I><Sub>DROP</Sub>输出电流限制<I>I</I><Sub>Limit</Sub>热调整率<I>S</I><Sub>h</Sub>

SJ/T 10738-1996

半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理

12 项检测项目

检测项目:输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>OPP</Sub> 等 12 项,点击展开全部

检测对象:(十一)半导体集成电路运算(电压)放大器

输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>OPP</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>最大共模输入电压<I>V</I><Sub>ICM</Sub>最大差模输入电压<I>V</I><Sub>IDM</Sub>输出电压转换速率<I>S</I><Sub>R</Sub>
GJB 9388-2018

集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法

10 项检测项目

检测项目:失调误差 <I>E</I><Sub>O</Sub>、增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>、满度误差<I>E</I><Sub>FS</Sub>、满度输出电流<I>I</I><Sub>O</Sub>、模拟输出漏电流<I>I</I><Sub>OL</Sub>、电源电流<I>I</I><Sub>CC</Sub>、功耗 <I>P</I><Sub>W</Sub>、直流电源抑制比<I>PSRR</I><Sub>DC</Sub> 等 10 项,点击展开全部

检测对象:(六)半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器(仅限14位及14位以下)

失调误差 <I>E</I><Sub>O</Sub>增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>满度误差<I>E</I><Sub>FS</Sub>满度输出电流<I>I</I><Sub>O</Sub>模拟输出漏电流<I>I</I><Sub>OL</Sub>电源电流<I>I</I><Sub>CC</Sub>功耗 <I>P</I><Sub>W</Sub>直流电源抑制比<I>PSRR</I><Sub>DC</Sub>模拟输入电流<I>I</I><Sub>I</Sub>双极零点误差<I>E</I><Sub>BZ</Sub>
GB/T 17574-1998

半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇 第2节

9 项检测项目

检测项目:输入箝位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高阻态电流 <I>I</I><Sub>OZ</Sub>、输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>、输出短路电流<I>I</I><Sub>OS</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:(二)数字集成电路

输入箝位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输出高阻态电流 <I>I</I><Sub>OZ</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>

检测对象:(五)半导体集成电路MOS随机存储器

输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输出高阻态电流 <I>I</I><Sub>OZ</Sub>

检测对象:(七)半导体集成电路微处理器及外围接口电路

输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输出高阻态电流 <I>I</I><Sub>OZ</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输出短路电流<I>I</I><Sub>OS</Sub>输入箝位电压<I>I</I><Sub>IK</Sub>

检测对象:(八)半导体集成电路模拟开关

输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>

SJ/T 10739-1996

半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理

9 项检测项目

检测项目:输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入负载电流 <I>I</I><Sub>LI</Sub>、输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>、工作状态时 <I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>、工作状态时 <I>V</I><Sub>CC</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>、维持状态时 <I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DDS</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:(五)半导体集成电路MOS随机存储器

输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入负载电流 <I>I</I><Sub>LI</Sub>输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>工作状态时 <I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>工作状态时 <I>V</I><Sub>CC</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>维持状态时 <I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DDS</Sub>维持状态时 <I>V</I><Sub>CC</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CCS</Sub>
GB/T 17940-2000

半导体器件集成电路第3部分:模拟集成电路 第Ⅳ篇第3节

9 项检测项目

检测项目:纹波抑制比 <I>S</I><Sub>RIP</Sub>、基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>、输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:(九)模拟集成电路

纹波抑制比 <I>S</I><Sub>RIP</Sub>基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>输入失调电流 <I>I</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比 <I>K</I><Sub>SVR</Sub>短路输出电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>

SJ/T 10818-1996

半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理

8 项检测项目

检测项目:失调误差 <I>E</I><Sub>O</Sub>、零点误差 <I>E</I><Sub>Z</Sub>、增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>、精度 <I>E</I><Sub>A</Sub>、线性误差 <I>E</I><Sub>L</Sub>、失码 <I>M</I><Sub>C</Sub>、功耗 <I>P</I><Sub>W</Sub>、电源电压灵敏度<I>K</I><Sub>SVS</Sub>

检测对象:(六)半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器(仅限14位及14位以下)

失调误差 <I>E</I><Sub>O</Sub>零点误差 <I>E</I><Sub>Z</Sub>增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>精度 <I>E</I><Sub>A</Sub>线性误差 <I>E</I><Sub>L</Sub>失码 <I>M</I><Sub>C</Sub>功耗 <I>P</I><Sub>W</Sub>电源电压灵敏度<I>K</I><Sub>SVS</Sub>

SJ 20646-1997

混合集成电路DC/DC变换器测试方法

6 项检测项目

检测项目:输出电压 <I>V</I><Sub>O</Sub>、输出电流 <I>I</I><Sub>O</Sub>、输出纹波电压 <I>V</I><Sub>RIP</Sub>、电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>、输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>

检测对象:(十八)DC/DC 变换器

输出电压 <I>V</I><Sub>O</Sub>输出电流 <I>I</I><Sub>O</Sub>输出纹波电压 <I>V</I><Sub>RIP</Sub>电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>
GB/T 6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节

4 项检测项目

检测项目:正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>、工作电压 <I>V</I><Sub>Z</Sub>、微分电阻 <I>R</I><Sub>Z</Sub>、反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>

检测对象:(十四)二极管

正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>工作电压 <I>V</I><Sub>Z</Sub>微分电阻 <I>R</I><Sub>Z</Sub>反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>
GB/T 29332-2012

半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

3 项检测项目

检测项目:栅极-发射极漏电流 <I>I</I><Sub>GES</Sub>、集电极截止电流 <I>I</I><Sub>CES</Sub>、集电极-发射极电压<I>V</I><Sub>CES</Sub>

检测对象:(十三)绝缘栅双极型晶体管

栅极-发射极漏电流 <I>I</I><Sub>GES</Sub>集电极截止电流 <I>I</I><Sub>CES</Sub>集电极-发射极电压<I>V</I><Sub>CES</Sub>
GB/T 4023-2015

半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>、击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>、反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>

检测对象:(十四)二极管

正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>

GJB 128B-2021

半导体分立器件试验方法 方法

3 项检测项目

检测项目:正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>、击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>、反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>

检测对象:(十四)二极管

正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>
GB/T 14028-2018

半导体集成电路模拟开关测试方法

2 项检测项目

检测项目:导通电阻 <I>R</I><Sub>ON</Sub>、导通电阻路差 △<I>R</I><Sub>ON</Sub>

检测对象:(八)半导体集成电路模拟开关

导通电阻 <I>R</I><Sub>ON</Sub>导通电阻路差 △<I>R</I><Sub>ON</Sub>

GJB 128A-1997

半导体分立器件试验方法 方法

2 项检测项目

检测项目:正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>、反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>

检测对象:(十四)二极管

正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>反向漏电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>

机构信息

机构名称

西安西测测试技术股份有限公司

所在地区

陕西省 · 西安市

企业地址

西安市高新区丈八二路16号

联系电话

029-62657777-8002

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