数据更新时间
2026-05-12
按“U”筛选，展示 59 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 9 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
SJ/T10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 等 10 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
GJB128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：基极-发射极饱和电压（V<Sub>CE</Sub>sat)、漏-源击穿电压V<Sub>DSX</Sub>、集电极-基极截止电流（I<Sub>CBO</Sub>)、发射极-基极截止电流（I<Sub>EBO</Sub>)、集电极-发射极截止电流（I<Sub>CEO</Sub>)
检测对象：晶体管
检测对象：场效应晶体管
半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 方法
检测项目：输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>
检测对象：数字集成电路 组合电路
检测对象：数字集成电路时序电路
检测对象：数字集成电路 计数器
检测对象：数字集成电路移位寄存器
检测对象：数字集成电路存储器
半导体器件集成电路第3部分：模拟集成电路 方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>
检测对象：半导体集成电路运算（电压）放大器
半导体器件 分立器件第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流（I<Sub>CBO</Sub>)、发射极-基极截止电流（I<Sub>EBO</Sub>)、集电极-发射极截止电流（I<Sub>CEO</Sub>)、集电极-发射极饱和电压（V<Sub>CE</Sub>sat)、基极-发射极饱和电压（V<Sub>CE</Sub>sat)
检测对象：晶体管
SJ20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 方法
检测项目：输出电压V<Sub>O</Sub>、输出纹波电压V<Sub>RIP</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>
检测对象：混合集成电路
半导体集成电路 电压调整器测试方法
检测项目：电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>、电源纹波抑制比S<Sub>rip</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压调整器
GB/T4586-94
半导体分立器件第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：漏-源通态电阻R<Sub>DSon</Sub>、栅-源截止电压V<Sub>GSoff</Sub>
检测对象：场效应晶体管
GJB128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏-源击穿电压V<Sub>DSX</Sub>
检测对象：场效应晶体管