数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T4586-1994”筛选,展示 7 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
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半导体器件 分立器件第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目:漏-源通态电阻R<Sub>DS(on)</Sub>、栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GS(th)</Sub>、漏极截止电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、小信号短路正向跨导<I>gfs</I>、漏-源通态电压<I>V</I><Sub>DS(on)</Sub>、栅极截止电流或栅极泄露电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>、栅-源截止电压<I>V</I><Sub>GS(off)</Sub>
检测对象:场效应晶体管