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2026-05-12
按“S”筛选，展示 95 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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SJ/T10805-2018
半导体集成电路 电压比较器测试方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub> 等 11 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
SJ20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压<I>V</I><Sub>O</Sub>、输出纹波电压<I>V</I><Sub>RIP</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>、输入电流<I>I</I><Sub>I</Sub>、效率<I>η</I>、输出电流<I>I</I><Sub>o</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub><I>I</I></Sub>、交叉调整率<I>V</I><Sub><I>c</I></Sub>
检测对象：DC/DC变换器
SJ/T2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、集电极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CE（sat）</Sub>、电流传输比<I>CTR</I>、反向击穿电压<I>V</I><Sub><I>BR</I></Sub>、集电极-发射极击穿电压<I>V</I><Sub>（BR）CEO</Sub>、输出截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub>
检测对象：光电耦合器
SJ/T2885-2003
电子设备用固定电感器总规范
检测项目：电感量
检测对象：电感器
半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 第Ⅳ篇2节/
检测项目：输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰值电压<I>V</I><Sub>OPP</Sub>、电源电流<I>I</I><Sub>cc</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇第2节/
检测项目：输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高阻态时高电平电流<I>I</I><Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流<I>I</I><Sub>OZL</Sub>、静态条件下的电源电流<I>I</I><Sub>DD</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入钳位电压<I>V</I><Sub>IK</Sub>
检测对象：数字集成电路
检测对象：半导体集成电路MOS随机存储器
检测对象：半导体集成电路模拟开关
GB/T4587-94
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章第1节
检测项目：集电极-基极击穿电压<I>V</I><Sub>（BR）CBO</Sub>、发射极-基极击穿电压<I>V</I><Sub>（BR）EBO</Sub>、集电极-基极截止电流<I>I</I><Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流<I>I</I><Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>BEsat</Sub>、基极-发射极电压<I>V</I><Sub>BE</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体集成电路 电压调整器测试方法
检测项目：电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>、电源纹波抑制比<I>S</I><Sub>RIP</Sub>、输出电压<I>V</I><Sub>o</Sub>、基准电压<I>V</I><Sub>REF</Sub>、输出阻抗<I>Z</I><Sub>o</Sub>、短路电流<I>I</I><Sub>os</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压调整器
半导体器件 分立器件第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：漏-源通态电阻R<Sub>DS（on）</Sub>、栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GS(th)</Sub>、漏极截止电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、小信号短路正向跨导<I>gfs</I>、漏-源通态电压<I>V</I><Sub>DS(on)</Sub>、栅极截止电流或栅极泄露电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>、栅-源截止电压<I>V</I><Sub>GS(off)</Sub>
检测对象：场效应晶体管
GJB128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向漏电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>、集电极-发射极击穿电压<I>V</I><Sub>（BR）CEO</Sub>、漏-源击穿电压<I>V</I><Sub>（BR）DSX</Sub><Sub> </Sub>
检测对象：二极管
检测对象：双极型晶体管
检测对象：场效应晶体管
半导体器件 分立器件 第3部分：信号(包括开关)和调整二极管 第IV章第1节
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、工作电压<I>V</I><Sub>z</Sub>、微分电阻<I>r</I><Sub>z</Sub>
检测对象：二极管
GJB128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向漏电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、集电极-发射极击穿电压<I>V</I><Sub>（BR）CEO</Sub>、漏-源击穿电压<I>V</I><Sub>（BR）DSX</Sub><Sub> </Sub>
检测对象：二极管
检测对象：双极型晶体管
检测对象：场效应晶体管
半导体集成电路 模拟开关测试方法
检测项目：导通电阻<I>R</I><Sub>ON</Sub>、截止态漏极漏电流<I>I</I><Sub>D（OFF）</Sub>、截止态源极漏电流<I>I</I><Sub>S（OFF）</Sub>
检测对象：半导体集成电路模拟开关
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、击穿电压<I>V</I><Sub>BR</Sub>
检测对象：二极管