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2026-05-12
按“芯片”筛选，展示 139 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 28 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
T/CIE 071-2020
工业级高可靠性集成电路评价 第 6 部分： 蓝牙芯片
检测项目：射频性能、功耗性能、早夭期寿命检测、高温工作寿命检测、低温工作寿命检测、静态高温长时间保存下数据退化检测、高温读写＋保存数据退化检测、常温读写＋保存数据退化及只读检测 等 22 项，点击展开全部
检测对象：集成电路-蓝牙芯片
半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
IEC 60749-19:2010
半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
T/CIE 080-2020
工业级高可靠集成电路评价 第 15 部分： 超高频射频识别
检测项目：强制功能检测、射频一致性检测、协议一致性检测、性能检测、早夭期寿命检测、高温工作寿命检测、低温工作寿命检测、静态高温长时间保存下数据退化检测 等 24 项，点击展开全部
检测对象：集成电路-超高频射频识别芯片
T/CIE 073-2020
工业级高可靠集成电路评价第8部分：微控制器 (MCU)
检测项目：电气性能检测、功能检测、早夭期寿命检测、高温工作寿命检测、低温工作寿命检测、静态高温长时间保存下数据退化检测、高温读写＋保存数据退化检测、常温读写＋保存数据退化及只读检测 等 22 项，点击展开全部
检测对象：集成电路-MCU 芯片
T/CIE 081-2020
工业级高可靠集成电路评价 第 16 部分： 高频射频识别
检测项目：性能检测、早夭期寿命检测、高温工作寿命检测、低温工作寿命检测、静态高温长时间保存下数据退化检测、高温读写＋保存数据退化检测、常温读写＋保存数据退化及只读检测、低温读写 等 21 项，点击展开全部
检测对象：集成电路-高频射频识别芯片
ISO/IEC 18047-6:2017（E）
信息技术 射频识别器件测试方法—第6部分：860 MHz到960MHz空中接口通信测试方法
检测项目：标签解调能力、标签频率范围、标签占空比、标签频率容差、标签链接时序T1、标签链接时序T2、标签状态机
检测对象：800/900MHz RFID标签芯片
ISO/IEC 18000-63-2015（E）
信息技术— 用于物品管理的射频识别 —第6部分:860 MHz到960MHz空中接口通信参数
检测项目：标签解调能力、标签频率范围、标签占空比、标签链接时序T1、标签状态机
检测对象：800/900MHz RFID标签芯片
T/CIE 067-2020
工业级高可靠集成电路评价第1部 分：AC/DC电路
检测项目：芯片辐射电场抗扰度、芯片的 DPI 传导抗扰度、芯片的 EFT 传导抗扰度、芯片的 PESD 传导抗扰度
检测对象：集成电路-AC/DC 电路
T/CIE 068-2020
工业级高可靠集成电路评价 第 2 部分： DC/DC 变换器
检测项目：芯片辐射电场抗扰度、芯片的 DPI 传导抗扰度、芯片的 EFT 传导抗扰度、芯片的 PESD 传导抗扰度
检测对象：集成电路-DC/DC 变换器
T/CIE 069-2020
工业级高可靠性集成电路评价 第 3 部分： 功率放大器
检测项目：芯片辐射电场抗扰度、芯片的 DPI 传导抗扰度、芯片的 EFT 传导抗扰度、芯片的 PESD 传导抗扰度
检测对象：集成电路-功率放大器(PA)
T/CIE 070-2020
工业级高可靠集成电路评价 第 4 部分：非易失性存储器
检测项目：芯片辐射电场抗扰度、芯片的 DPI 传导抗扰度、芯片的 EFT 传导抗扰度、芯片的 PESD 传导抗扰度
检测对象：集成电路-非易失性存储器
T/CIE 072-2020
工业级高可靠集成电路评价 第 7 部分： AD 和 DA 转换器
检测项目：芯片辐射电场抗扰度、芯片的 DPI 传导抗扰度、芯片的 EFT 传导抗扰度、芯片的 PESD 传导抗扰度
检测对象：集成电路-AD 和 DA 转换器
IEC 62215-3:2013
集成电路-脉冲抗扰度的测量-第3部分:非同步瞬态注入法
检测项目：芯片传导抗扰度(EFT)、芯片传导抗扰度(PESD)
检测对象：电子元器件
IEC 62132-2:2010
集成电路-电磁抗扰度的测量-第2部分:辐射抗扰度的测量-TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：芯片辐射抗扰度
检测对象：电子元器件
集成电路-电磁抗扰度的测量-第2部分:辐射抗扰度的测量-TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：芯片辐射抗扰度
检测对象：电子元器件
SJ21473.2-2018
军用集成电路电磁抗扰度测量方法 第2 部分:辐射抗扰度测量—TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：芯片辐射抗扰度
检测对象：电子元器件
IEC 61967-2:2005
集成电路电磁发射测试第2部分：辐射发射测试-TEM小室和宽带TEM小室
检测项目：芯片级辐射发射测试-TEM小室法
检测对象：电子元器件
军用集成电路电磁发射测量方法第2 部分:辐射发射测量-TEM小室和宽带TEM小室法 SJ21147.2-
军用集成电路电磁发射测量方法第2 部分:辐射发射测量-TEM小室和宽带TEM小室法 SJ21147.2-
检测项目：芯片级辐射发射测试-TEM小室法
检测对象：电子元器件
SAE J1752-3：2017
集成电路辐射发射测量方法-TEM/宽带TEM(GTEM)小室法;TEM小室（150kHz~1GHz),宽带TEM小室法 （150kHz~8GHz)
检测项目：芯片级辐射发射测试-TEM小室法
检测对象：电子元器件
IEC TS 61967-3:2014
集成电路电磁发射测试第3部分：辐射发射测试-表面扫描法
检测项目：芯片级辐射发射测试-表面扫描法
检测对象：电子元器件
IEC 61967-4:2021
集成电路-电磁发射的测量-第4部分:传导发射测量- 1Ω&150Ω直接耦合法
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
IEC 61967-4:2006
集成电路-电磁发射的测量-第4部分:传导发射测量- 1Ω&150Ω直接耦合法
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
IEC 61967-4:2002
集成电路-电磁发射的测量-第4部分:传导发射测量- 1Ω&150Ω直接耦合法
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
军用集成电路电磁发射测量方法 第4 部分:传导发射测 量—1Ω/150Ω直接耦合法 SJ21147.4-
军用集成电路电磁发射测量方法 第4 部分:传导发射测 量—1Ω/150Ω直接耦合法 SJ21147.4-
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
IEC 62132-4：2006
集成电路.电磁抗扰度150khz~1ghz的测量.第4部分:直接射频功率注入法
检测项目：芯片传导抗扰度 -直接射频功率注入法 (DPI)
检测对象：电子元器件
军用集成电路电磁抗扰度测量方法第 4 部分:传导抗扰度测量—射频功率直接注入法 SJ21473.4-
军用集成电路电磁抗扰度测量方法第 4 部分:传导抗扰度测量—射频功率直接注入法 SJ21473.4-
检测项目：芯片传导抗扰度 -直接射频功率注入法 (DPI)
检测对象：电子元器件
ISO/IEC 18000-6-2015（E）
信息技术— 用于物品管理的射频识别 —第6部分:860 MHz到960MHz空中接口通信参数 ISO/IEC 18000-63-2015（E）
检测项目：标签链接时序T2
检测对象：800/900MHz RFID标签芯片