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2026-05-12
按“U”筛选，展示 123 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 16 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GB/T43061-2023
半导体集成电路PWM控制器测试方法
检测项目：基准电压<I>V</I><Sub>REF</Sub>、电流调整变化量<I>S</I><Sub>I</Sub>、电压调整变化量<I>S</I><Sub>V</Sub>、输出短路电流<I>I</I><Sub>OS</Sub>、初始频率<I>f</I><Sub>I</Sub>、最低工作频率<I>f</I><Sub>min</Sub>、最高工作频率<I>f</I><Sub>max</Sub>、同步端输入电流<I>I</I><Sub>Isync</Sub> 等 24 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路PWM控制器
半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第Ⅳ篇第二节
检测项目：输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>、差模开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰电压<I>V</I><Sub>OPP</Sub> 等 14 项，点击展开全部
检测对象：模拟集成电路
GB/T42975-2023
半导体集成电路 驱动器测试
检测项目：输入高电平电压<I>V</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电压<I>V</I><Sub>IL</Sub>、输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>、输出漏电流<I>I</I><Sub>LK</Sub>、差分输出电压<I>V</I><Sub>OD</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路 驱动器
SJ/T 20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理
检测项目：静态电源电流<I>I</I><Sub>CC</Sub>、静态电源电流<I>I</I><Sub>DD</Sub>、静态电源电流<I>I</I><Sub>SS</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、零点误差<I>E</I><Sub>O</Sub> 等 11 项，点击展开全部
检测对象：A/D和D/A转换器
半导体器件 集成电路 第2部分数字集成电路 第Ⅳ篇第二节
检测项目：输入钳位电压<I>V</I><Sub>IK</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出短路电流<I>I</I><Sub>OS</Sub>、输出高阻态时高电平电流<I>I</I><Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流<I>I</I><Sub>OZL</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：数字集成电路
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流(直流法)<I>I</I><Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流(直流法)<I>I</I><Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>BEsat</Sub>、集电极-基极电压<I>V</I><Sub>CBO</Sub>、发射极-基极电压<I>V</I><Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流(直流法)<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极电压<I>V</I><Sub>CEO</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体器件 快闪存储器测试方法
检测项目：输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电压<I>V</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电压<I>V</I><Sub>IL</Sub>、输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电流<I>I</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电流<I>I</I><Sub>OL</Sub>
检测对象：FLASH存储器
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目：复位电压<I>V</I><Sub>R</Sub>、复位触发电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、触发电压<I>V</I><Sub>TR</Sub>、触发电流<I>I</I><Sub>TR</Sub>、阈值电压<I>V</I><Sub>T</Sub>、阈值电流<I>I</I><Sub>TR</Sub>、控制端电压<I>V</I><Sub>C</Sub>、静态电源电流<I>I</I><Sub>+</Sub>
检测对象：时基电路
半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：栅源极截止（漏泄）电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>、漏极电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、栅-源截止电压<I>V</I><Sub>GSoff</Sub>、漏源极截止电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GSth</Sub>、静态漏-源通态电阻<I>r</I><Sub>DS</Sub>、栅源截止（漏泄）电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>
检测对象：结型场效应管
检测对象：MOS场效应管
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压<I>V</I><Sub>O</Sub>、输出电流<I>I</I><Sub>O</Sub>、输出纹波电压<I>V</I><Sub>RIP</Sub>、电压调整率<I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率<I>S</I><Sub>I</Sub>、输入电流<I>I</I><Sub>I</Sub>
检测对象：DC-DC电源变换器
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、集电极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>、集电极-发射极截止电流<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极击穿 电压<I>V</I><Sub>BRCEO</Sub>
检测对象：光电耦合器
半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、微分电阻<I>r</I><Sub>Z</Sub>、工作电压<I>V</I><Sub>Z</Sub>
检测对象：整流、信号和调整二极管
半导体器件分立器件和集成电路 第2部分 整流二极管
检测项目：反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、击穿电压 <I>V</I><Sub>BR</Sub>
检测对象：整流、信号和调整二极管
GJB128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压 <I>V</I><Sub>BRDSS</Sub>
检测对象：MOS场效应管
GJB128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压 <I>V</I><Sub>BRDSS</Sub>
检测对象：MOS场效应管
GB/T15651.5-2024
半导体器件第5-5部分光电子器件光电耦合器
检测项目：集电极-发射极饱和电压<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>
检测对象：光电耦合器