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数据更新时间
2026-05-12
按“光”筛选，展示 21 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 6 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、正向电流I<Sub>F</Sub>、反向击穿电压V<Sub>R</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CES</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比 CTR
检测对象：半导体光电耦合器
半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法
检测项目：集电极-发射极饱和电压V<Sub>CES</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比 CTR
检测对象：半导体光电耦合器
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：发光二极管
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：发光二极管
半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章 第1节
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>
检测对象：发光二极管
整流二极管测试方法
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：发光二极管